Wafer 割方案
 

KH 3 - 08 20
规格说明
单位 : um
十八罗汉石颗粒尺寸
1 0 ~ 2
2 1 ~ 3
3 2 ~ 4
4 2 ~ 6
5 4 ~ 6
6 4 ~ 8
10 8 ~ 16
划痕宽度
08 15 ~ 20
10 20 ~ 25
12 25 ~ 30
14 30 ~ 35
16 35 ~ 40
18 40 ~ 45
20 45 ~ 50
22 50 ~ 60
刀刃伸出量
10 250 ~ 380
15 380 ~ 510
20 510 ~ 640
25 640 ~ 760
30 760 ~ 890
35 890 ~ 1,000
40 1,000 ~ 1,150
45 1,150 ~ 1,300
注:实际划痕宽度、刀刃伸出量的规格范围得以根据客户的实际需求作最有过之而无不及的调整,以达成最合理的使用及性能。
贴边剂类型
P M G
软性 中性 硬性
十八罗汉石密度
1 2 3

(52 - 55%)
基准
(55 - 58%)

(58 - 62%)
其他因素
1 ~ 9
* Not designated in specification.
Thickness and Exposure Selection
Thickness Selection
Exposure Selection
Blade Selection Guide
Standard
Model
Internal
Code
Mian Application Wafer
Thickness
KH1 0815 M21 GaAs, GaP ~ 250
KH2 0815 G12 Thin Wafer ~ 200
KH3 0815 M23 Thin Wafer, Backside Chipping ~ 300
0820 G34 ASIC 200 ~ 300
0820 G35 IC, TR 200 ~ 300
KH4 0820 G32 IC, TR 200 ~ 300
1830 M33 Step Cut(1st), Bevel Cut 200 ~ 400
KH5 1015 M21 Backside Chipping ~ 300
1015 G34 SiC 200 ~ 800
1230 G25 Step Cut(2nd), Bevel Cut 200 ~ 800
KH6 1635 G21 TCP 200 ~ 800
KH10 1615 M22 SiC, Bevel Cut(Glass, Quartz, SUS) ~ 400
Diamond Distribution & Concentration
Front Side Back Side Cross Section(SEM)
Front Side Back Side Cross Section(SEM)

 
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